STGYA120M65DF2AG技术参数详情：
STGYA120M65DF2AG是意法半导体推出的一款采用沟槽型场截止技术的高性能IGBT。该器件额定电压为650V，连续集电极电流达160A，在120A电流、15V栅压下的典型导通压降仅为2.15V，实现了低导通损耗与高电压耐受能力的优异平衡。
其开关特性经过优化，具备快速的开关速度（Td(on)/Td(off)典型值66ns/185ns）和较低的开关能量，有助于提升系统效率与工作频率。器件采用TO-247-3封装，最大功耗625W，结温工作范围覆盖-55°C至175°C，确保了在工业级应用中的高可靠性与鲁棒性。
- 型号:STGYA120M65DF2AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:MAX247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 160A MAX247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:160 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.15V @ 15V，120A
- 功率 - 最大值:625 W
- 开关能量:1.8mJ（导通），4.41mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:420 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:66ns/185ns
- 测试条件:400V，120A，4.7 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):202 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:MAX247
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