STH110N10F7-2技术参数详情：
STH110N10F7-2是ST意法半导体基于STripFET VII技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用H2PAK-2表面贴装封装，额定漏源电压（Vdss）为100V，在25°C壳温下可连续通过高达110A的电流，适用于高功率应用。
其核心优势在于极低的功率损耗。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值极低，最大值仅为6.5毫欧（@55A），这显著降低了传导过程中的热量产生。同时，优化的栅极电荷（Qg最大72nC @10V）有助于实现高效率的快速开关，减少开关损耗。器件结温工作范围宽达-55°C至175°C，确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:STH110N10F7-2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N CH 100V 110A H2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 55A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5117 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-2
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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