STH12N120K5-2技术参数详情：
STH12N120K5-2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件设计用于高压环境，其核心优势在于结合了1200V的漏源电压（Vdss）与12A的连续漏极电流（Id）处理能力，同时通过优化的技术实现了低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）的平衡。
其电气参数，如690mΩ @ 6A, 10V的导通电阻和44.2nC @ 10V的栅极电荷，直接转化为更低的传导与开关损耗，有助于提升系统效率。器件采用H2PAK-2表面贴装封装，支持高达250W的功率耗散，工作温度范围覆盖-55°C至150°C，确保了在工业级应用中的高可靠性与稳定性。
- 型号:STH12N120K5-2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.2 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-2
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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