STH110N10F7-6

STH110N10F7-6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VII与DeepGATE技术的产品系列。该器件在100V的漏源电压（V_DSS）额定值下，能够支持高达110A（T_C=25°C）的连续漏极电流，并采用H2PAK-6表面贴装封装，适用于高功率密度设计。

其核心电气优势体现在极低的导通电阻，在10V V_GS和55A I_D条件下，R_DS(on)最大值仅为6.5mΩ，这能显著降低功率传导损耗。同时，优化的栅极电荷（Q_g @10V最大72nC）有助于实现高效的开关性能，降低驱动需求。这些特性使其成为高效率电源转换和电机驱动应用的理想选择。

• 型号:STH110N10F7-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 55A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5117 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• 现在可以订购STH110N10F7-6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。