STW10NK60Z技术参数详情：
STW10NK60Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款高压功率MOSFET，采用标准的TO-247-3通孔封装。该器件设计用于高效功率开关，其核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）低至750毫欧（最大值），有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值70nC）确保了快速的开关瞬态，有利于提升开关频率并减少开关损耗。这些特性共同指向了更高的系统效率和功率密度。
该器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，最大功耗达156W，结合其稳健的封装，能够满足工业级应用对可靠性和鲁棒性的严苛要求。
- 型号:STW10NK60Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:156W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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