STH110N7F6-2技术参数详情：
STH110N7F6-2是ST意法半导体STripFET F6系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-2封装。该器件设计用于高效功率转换，其核心优势在于68V的漏源电压额定值与高达80A的连续漏极电流承载能力相结合，为48V系统应用提供了可靠的开关解决方案。
其关键技术参数包括极低的导通电阻（典型值6.3mΩ @ 55A, 10V）和优化的栅极电荷（最大值100nC @ 10V），这共同实现了较低的传导损耗与开关损耗，有助于提升系统整体效率。宽工作结温范围（-55°C 至 175°C）确保了其在各种环境条件下的稳定运行，适用于要求严苛的工业与汽车应用。
- 制造商产品型号：STH110N7F6-2
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：STripFET F6
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：68V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.3 毫欧 @ 55A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：100nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5850pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：176W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：H2Pak-2
- 现在可以订购STH110N7F6-2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
