STP140NF75技术参数详情：
STP140NF75是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件设计用于提供卓越的功率处理能力和效率，其核心优势在于极低的导通电阻（Rds(on)典型值7.5mΩ @ 10V, 70A）与高电流承载能力（连续漏极电流Id达120A @ Tc=25°C）。
其75V的漏源电压（Vdss）额定值使其适用于多种中压应用。优化的栅极电荷（Qg 218nC max）有助于实现快速开关，降低开关损耗。结合TO-220AB通孔封装带来的良好散热特性以及高达310W（Tc）的功率耗散能力，该器件为需要高可靠性和高效率的功率转换与开关电路提供了强有力的解决方案。
- 型号:STP140NF75
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:75 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 70A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:218 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5000 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:310W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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