STH130N10F3-2技术参数详情：
STH130N10F3-2是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET III产品系列。该器件采用H2PAK-2表面贴装封装，核心电气参数包括100V的漏源电压（Vdss）和高达120A（Tc）的连续漏极电流（Id）处理能力。
其关键优势在于极低的功率损耗，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为9.3毫欧（@60A），同时栅极电荷（Qg）最大值被控制在57nC，这共同确保了在高频开关应用中兼具低传导损耗与低开关损耗。器件支持-55°C至175°C的宽结温工作范围，最大功率耗散为250W（Tc），设计用于要求高效率和可靠性的功率转换场景。
- 型号:STH130N10F3-2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.3 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3305 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-2
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 现在可以订购STH130N10F3-2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
