STH13N120K5-2AG技术参数详情：
STH13N120K5-2AG是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-2表面贴装封装。其核心规格包括1200V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其优异的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）低至690毫欧（@6A），有效降低了传导损耗。同时，最大44.2nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，从而提升整体系统效率。其250W的功率耗散能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在 demanding 环境下的可靠运行。
- 型号:STH13N120K5-2AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.2 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-2
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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