STH150N10F7-2技术参数详情：
STH150N10F7-2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VII技术，封装形式为H2PAK-2。该器件设计用于100V电压等级的应用，在25°C壳温下可承受高达110A的连续漏极电流，并具备250W的最大功率耗散能力。
其核心电气特性表现为极低的导通电阻，在10V Vgs、55A Id条件下典型值仅为3.9mΩ，这显著降低了传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在117nC（@10V），有助于实现高效率的快速开关操作。这些参数使其成为要求高电流处理能力与高开关效率的功率转换系统的理想选择。
- 型号:STH150N10F7-2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.9 毫欧 @ 55A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:117 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8115 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-2
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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