STH160N4LF6-2

STH160N4LF6-2是一款采用H2PAK-2封装的N沟道功率MOSFET，隶属于ST意法半导体的DeepGATE和STripFET VI产品系列。其核心设计旨在提供优异的功率处理能力与开关效率，关键参数包括40V的漏源电压（V_DSS）和高达120A（T_C=25°C）的连续漏极电流。

该器件的技术优势集中体现在极低的导通损耗上，其在10V栅极驱动、60A测试条件下的最大导通电阻仅为2.2毫欧。同时，其栅极电荷（Q_G）典型值为181nC，这有助于降低高频开关应用中的动态损耗。这些特性使其非常适合用于要求高效率和高功率密度的同步整流及DC-DC功率转换拓扑中。

• 型号:STH160N4LF6-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:181 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8130 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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