STH170N8F7-2技术参数详情：
STH170N8F7-2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用H2PAK-2封装，专为高电流、高效率应用而优化。
其核心电气参数表现突出：具备80V的漏源电压（Vdss）额定值和高达120A（Tc）的连续漏极电流能力。关键优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、60A Id条件下，Rds(on)最大值仅为3.7mΩ，能显著降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值为120nC @ 10V，有利于实现高效的快速开关操作。
这些特性使其成为大功率开关电源、电机驱动和各类功率转换系统的理想选择，能够在-55°C至175°C的宽结温范围内稳定工作，满足工业及汽车等高要求应用场景的需求。
- 型号:STH170N8F7-2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK-2
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:80 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8710 pF @ 40 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-2
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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