STL18N60M6技术参数详情：
STL18N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用先进的超结技术，核心优势在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优异平衡，旨在最大化功率转换效率。
其关键电气参数包括600V的漏源击穿电压和9A的连续漏极电流（Tc）。在10V驱动下，其导通电阻典型值低至308毫欧，同时栅极电荷最大值仅为16.8nC，这共同确保了较低的导通损耗和开关损耗，特别适合高频开关应用。器件采用表面贴装的PowerFlat HV封装，具有良好的散热性和紧凑的占板面积。
- 制造商产品型号：STL18N60M6
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT HV
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：MDmesh M6
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：308毫欧 @ 6.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：16.8nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：650pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：57W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：PowerFlat（5x6）HV
- 现在可以订购STL18N60M6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
