STH175N4F6-2AG

STH175N4F6-2AG是ST意法半导体推出的符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件采用STripFET F6技术，在H2PAK-2封装内集成了出色的电气性能，其核心优势在于极低的导通电阻（2.4mΩ @ 10V, 60A）和高电流承载能力（连续漏极电流120A @ Tc），旨在最大限度地降低传导损耗并提升功率转换效率。

其40V的漏源电压额定值适用于12V/24V汽车电池系统，而优化的栅极电荷（130nC）有助于实现快速开关并降低驱动损耗。器件支持-55°C至175°C的宽结温范围，确保了在恶劣汽车环境下的可靠运行。这些特性使其成为电机驱动、电源分配和DC-DC转换等高要求汽车电子应用的理想选择。

• 型号:STH175N4F6-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7735 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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