STH180N10F3-6技术参数详情：
STH180N10F3-6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件采用H2PAK-6表面贴装封装，额定值为100V漏源电压（Vdss）和180A连续漏极电流（Tc），专为处理高功率应用而设计。
其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和60A Id条件下，Rds(On)最大值仅为4.5mΩ，能显著降低传导损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）有助于提升开关效率。该器件结温工作范围宽（-55°C至175°C），最大功耗达315W（Tc），为高可靠性、高电流的开关电源和电机驱动解决方案提供了关键组件。
- 型号:STH180N10F3-6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-6
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:114.6 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6665 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-6
- 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
- 现在可以订购STH180N10F3-6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
