STH180N4F6-2技术参数详情：
STH180N4F6-2是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F6产品系列。该器件采用H2PAK-2封装，额定电压40V，在壳温条件下可连续通过高达120A的电流，其核心优势在于极低的导通电阻，典型值仅为2.4毫欧（@60A, 10V），能显著降低功率应用中的传导损耗。
此外，其栅极电荷（Qg）最大值被优化至130nC，有助于减少开关损耗并提升整体效率，适用于高频开关场景。器件结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在高温环境下的可靠运行。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和大电流DC-DC转换器等高效能电源设计的理想选择。
- 型号:STH180N4F6-2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7735 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-2
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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