STP55NF06

STP55NF06是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心优势在于其优异的电气参数平衡：提供60V的漏源击穿电压和高达50A的连续漏极电流处理能力，同时实现了极低的导通电阻（典型值18mΩ @ 10V, 27.5A），这显著降低了导通状态下的功率损耗。

此外，其栅极电荷（Qg）较低，有利于实现快速开关并减少驱动损耗，而宽达-55°C至175°C的工作结温范围确保了其在苛刻环境下的可靠性。这些特性使其成为电机驱动、电源转换和功率开关等应用中追求高效率与高功率密度设计的理想选择。

• 型号:STP55NF06
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 27.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP55NF06，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。