STH210N75F6-2技术参数详情：
STH210N75F6-2是ST意法半导体推出的一款采用H2PAK-2封装的大电流N沟道功率MOSFET。该器件隶属于STripFET VI与DeepGATE产品系列，其核心设计旨在实现极低的功率损耗和高可靠性。
其关键电气参数定义了卓越的性能：75V的漏源电压(Vdss)与高达180A的连续漏极电流(Id)使其能够处理高功率负载。最突出的特性是其极低的导通电阻，在10V Vgs、90A Id条件下典型值仅为2.8毫欧，这显著降低了传导损耗。同时，171nC的栅极电荷(Qg)有助于优化开关性能。该器件支持-55°C至175°C的宽结温范围，适用于要求严苛的工业与通信电源应用。
- 型号:STH210N75F6-2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:75 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 90A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:171 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11800 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-2
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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