STH260N6F6-6技术参数详情：
STH260N6F6-6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-6封装，属于STripFET VI系列并应用DeepGATE技术。其核心优势在于极低的导通电阻与高电流处理能力的结合，在10V栅极驱动下，Rds(on)典型值低至2.4毫欧（@60A），连续漏极电流（Id）高达180A（Tc），有效降低了功率转换系统中的传导损耗。
该器件设计用于高效开关应用，其栅极电荷（Qg）最大值为183nC，有助于实现快速的开关速度并降低驱动损耗。60V的漏源电压（Vdss）额定值及宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C），使其能够稳定运行于要求严苛的工业与通信电源环境中，例如同步整流和电机驱动电路。
- 型号:STH260N6F6-6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-6
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11800 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-6
- 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
- 现在可以订购STH260N6F6-6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
