STH265N6F6-2AG

STH265N6F6-2AG是意法半导体STripFET F6系列中的一款AEC-Q101认证的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件设计用于处理高功率应用，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值2.1mΩ @ 10V, 60A）与高达180A的连续漏极电流能力，结合60V的漏源电压额定值，能够显著降低导通损耗，提升系统整体效率。

器件采用H2PAK-2封装，支持表面贴装，具有良好的热性能，最大功率耗散为300W。其优化的栅极电荷（最大183nC @ 10V）有助于实现快速开关并降低驱动损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C）确保了其在严苛的汽车及工业环境下的稳定性和可靠性，适用于电机驱动、电源转换等高要求场景。

• 型号:STH265N6F6-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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