STH265N6F6-6AG技术参数详情：
STH265N6F6-6AG是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，隶属于通过AEC-Q101认证的Automotive, STripFET F6产品系列。该器件采用先进的沟槽技术，在60V的漏源电压（VDSS）下，能够持续处理高达180A（TC）的漏极电流，并具备仅2.1毫欧（@60A, 10V）的极低导通电阻，有效降低了功率损耗。
其设计兼顾了开关性能与可靠性，最大栅极电荷（Qg）为183nC，支持快速开关动作。器件采用H2PAK-6表面贴装封装，最大功率耗散能力为300W（TC），工作结温范围覆盖-55°C至175°C，专为要求严苛的汽车电子和高功率密度开关电源应用而优化。
- 型号:STH265N6F6-6AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-6
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11800 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-6
- 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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