STFI6N62K3技术参数详情：
STFI6N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用先进的工艺技术，旨在优化高压开关应用中的性能表现。
其核心电气参数包括620V的漏源电压（Vdss）和5.5A的连续漏极电流（Id），为功率转换设计提供了坚实的基础。关键优势在于其优异的动态特性平衡：较低的导通电阻有助于减少传导损耗，而最大仅34nC的栅极电荷则确保了高效的开关性能和简化的驱动需求。器件采用I2PAKFP通孔封装，具备良好的功率处理能力和散热特性。
- 型号:STFI6N62K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-281（I2PAKFP）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N CH 620V 5.5A I2PAKFP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:620 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:875 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
- 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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