STH270N8F7-6技术参数详情：
STH270N8F7-6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于先进的DeepGATE和STripFET VII产品系列。该器件采用HPAK封装，额定漏源电压为80V，在25°C壳温下可支持高达180A的连续漏极电流，具备强大的功率处理能力。
其核心优势在于极低的导通损耗，在10V栅极驱动、90A电流条件下，导通电阻典型值仅为2.1毫欧。同时，193nC的栅极电荷（最大值）有助于实现高效的开关性能。这些特性使其非常适用于要求高效率和高功率密度的应用，如工业电机驱动、大功率开关电源和能源转换系统。
- 型号:STH270N8F7-6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:80 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 毫欧 @ 90A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:193 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13600 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK
- 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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