STW70N60DM6技术参数详情：
STW70N60DM6是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh DM6产品系列。该器件采用TO-247封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）以及在壳温25°C下达62A的连续漏极电流（Id），为高功率应用提供了坚实的电压与电流处理能力基础。
其技术核心在于MDmesh DM6超结技术，该技术旨在实现极低的导通电阻，从而显著降低导通损耗，提升系统整体能效。这款MOSFET专为要求高效率和高可靠性的开关电源、电机驱动及新能源转换系统而优化，适用于PFC、DC-DC转换和逆变拓扑等关键功率开关位置。
- 型号:STW70N60DM6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 62A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):62A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:-
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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