STI20N65M5

STI20N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-262（I2PAK）通孔封装，核心优势在于其650V的高漏源电压（V_DSS）和18A的高连续漏极电流（I_D）能力，为高压大电流应用提供了坚实基础。

其技术亮点在于实现了优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至190mΩ，显著降低了通态损耗。同时，36nC的低栅极电荷（Q_G）确保了快速的开关特性，有助于提升系统工作频率并降低开关损耗。这些参数共同指向了更高的整体能效和功率密度。

该器件设计坚固，支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，最大功率耗散为130W，适用于要求高可靠性的工业级环境。它是构建高效率电源、电机驱动和新能源逆变等功率转换系统的理想选择。

• 型号:STI20N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1434 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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