STH290N4F6-6技术参数详情：
STH290N4F6-6是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-6封装。该器件具备60V的漏源电压（Vdss）额定值，适用于中压范围的功率开关应用。
其H2PAK封装设计集成了裸露的散热焊盘，显著提升了功率耗散能力，有助于在连续工作或高负载条件下维持较低的结温，从而保障系统的长期稳定性。该MOSFET旨在为DC-DC转换、电机控制等应用提供高效的功率切换解决方案。
- 制造商产品型号：STH290N4F6-6
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 60V H2PAK-6
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：*
- 零件状态：停产
- FET类型：-
- 技术：-
- 漏源电压（Vdss）：-
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作温度：-
- 安装类型：-
- 器件封装：-
- 现在可以订购STH290N4F6-6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
