STH290N4F6-6AG技术参数详情：
STH290N4F6-6AG是意法半导体符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-6封装。其核心优势在于结合了极低的导通电阻（1.7mΩ @ 45A, 10V）与优化的开关特性（栅极电荷115nC @ 10V），旨在最大限度地降低传导与开关损耗，提升系统能效。
该器件具备40V的漏源电压和高达180A（TC）的连续漏极电流处理能力，功率耗散达300W（TC），工作结温范围宽至-55°C至175°C，确保了在严苛汽车环境下的高可靠性与稳健性。这些特性使其成为汽车高功率开关应用的理想选择，如电机驱动和电源转换系统。
- 型号:STH290N4F6-6AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-6
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7毫欧 @ 45A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:115 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7380 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-6
- 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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