STH300NH02L-6技术参数详情：
STH300NH02L-6是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET，采用HPAK封装。该器件隶属于STripFET III系列，专为要求高效率和可靠性的严苛应用而设计。
其核心电气参数表现突出：漏源电压（Vdss）为24V，连续漏极电流（Id）高达180A（Tc）。关键优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、80A Id条件下，Rds(on)最大值仅为1.2毫欧，能显著降低传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值为109nC @ 10V，有利于实现高效的开关性能。器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行。
综合来看，这款MOSFET凭借其高电流能力、超低导通电阻和汽车级品质，主要面向汽车电机驱动、大电流DC-DC转换及电池管理等高效功率开关应用场景。
- 型号:STH300NH02L-6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:24 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 毫欧 @ 80A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:109 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7050 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK
- 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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