STW26N65DM2技术参数详情：
STW26N65DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用TO-247封装，核心额定参数为650V漏源电压（Vdss）与20A连续漏极电流（Id），专为高压、大电流开关应用而设计。
其技术优势体现在采用先进的DM2技术，实现了低至190mΩ（@10Vgs， 10A）的导通电阻（Rds(on)）与仅35.5nC的栅极电荷（Qg），这一组合有效优化了导通损耗与开关损耗的平衡。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和170W的功率处理能力，确保了其在工业级电源转换、电机驱动等严苛环境下的卓越可靠性与散热性能。
- 型号:STW26N65DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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