STH310N10F7-2技术参数详情：
STH310N10F7-2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-2表面贴装封装。其核心卖点在于结合了100V的漏源电压额定值与高达180A的连续漏极电流处理能力，同时实现了极低的导通电阻（典型值2.5mΩ @ 60A, 10V），这显著降低了功率转换过程中的传导损耗。
该器件基于STripFET VII和DeepGATE技术，优化了开关性能与栅极电荷（Qg 180nC @ 10V）的平衡。其宽广的工作结温范围（-55°C 至 175°C）和强大的功率耗散能力（315W @ Tc），确保了在高功率密度应用中的可靠性与热稳定性，适用于要求严苛的工业与汽车电子环境。
- 型号:STH310N10F7-2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.8V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12800 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-2
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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