STQ2HNK60ZR-AP技术参数详情：
STQ2HNK60ZR-AP是意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道高压MOSFET，采用TO-92-3通孔封装。其核心特性包括高达600V的漏源电压（Vdss）和500mA的连续漏极电流，为高压小功率应用提供了坚实的基础。
该器件在开关性能上表现优异，其最大栅极电荷（Qg）仅为15nC，结合4.8欧姆的导通电阻（Rds(on)），有效降低了开关损耗和导通损耗，有助于提升系统效率。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:STQ2HNK60ZR-AP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-92-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3
- 包装:剪切带（CT）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 欧姆 @ 1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-92-3
- 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
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