STH315N10F7-6

STH315N10F7-6是意法半导体基于STripFET VII和DeepGATE技术开发的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件在10V栅极驱动下，提供低至2.3毫欧（@60A）的导通电阻与180nC的栅极电荷，实现了传导损耗与开关损耗的优异平衡，有助于提升系统整体效率。

其额定参数包括100V漏源电压、180A连续漏极电流（T_C）以及175°C的最高工作结温，并采用散热性能出色的H2PAK-6封装。这些特性使其成为高可靠性、高功率密度设计的理想选择，尤其适用于严苛的汽车电子环境。

• 型号:STH315N10F7-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.3 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• 现在可以订购STH315N10F7-6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。