STH410N4F7-2AG

STH410N4F7-2AG是ST意法半导体推出的车规级N沟道功率MOSFET，属于Automotive, AEC-Q101认证的STripFET F7系列。该器件核心优势在于其极低的功率损耗，其导通电阻在10V Vgs、90A Id条件下典型值仅为1.1毫欧，结合高达200A的连续漏极电流处理能力，为高功率密度应用提供了高效的解决方案。

其设计兼顾了强健性与快速开关性能，40V的漏源电压适用于主流汽车电气平台，141nC的低栅极电荷有助于降低开关损耗。采用H2PAK-2封装，确保了优异的散热能力和机械可靠性，工作结温范围达-55°C至175°C，满足严苛的汽车环境要求，是电机驱动、DC-DC转换及大电流开关应用的理想选择。

• 型号:STH410N4F7-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:141 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:365W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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