STH80N10F7-2技术参数详情：
STH80N10F7-2是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的DeepGATE和STripFET VII产品系列。该器件采用H2PAK-2表面贴装封装，核心优势在于其100V的漏源电压（Vdss）额定值和高达80A（Tc）的连续漏极电流处理能力。
其技术亮点包括极低的导通电阻，在10V驱动电压、40A电流下典型值仅为9.5毫欧，以及优化的45nC（@10V）栅极电荷，这共同确保了较低的传导损耗和高效的开关性能。这些特性使其成为高功率密度设计的理想选择，适用于同步整流、DC-DC转换和电机驱动等应用场景。
- 型号:STH80N10F7-2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-2
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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