STI11NM80技术参数详情：
STI11NM80是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh技术制造。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压（VDSS）额定值与11A连续漏极电流（ID）能力，结合低至400毫欧的导通电阻（RDS(on)），实现了优异的导通损耗性能。
此外，其43.6nC的低栅极电荷（Qg）有助于实现高速开关，减少开关损耗，提升整体电源转换效率。封装采用I2PAK（TO-262），提供良好的散热特性，最大功耗150W，工作温度范围宽达-65°C至150°C，确保了在工业级应用中的高可靠性。这些特性使其成为离线式电源、PFC电路和工业电机控制等高压、高效应用中的理想功率开关解决方案。
- 制造商产品型号：STI11NM80
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：MDmesh
- 零件状态：不用於新
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：800V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：400 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：43.6nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1630pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：150W（Tc）
- 工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：I2PAK（TO-262）
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