STI15NM60ND技术参数详情：
STI15NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心优势在于其600V的高漏源电压耐受力与低至299毫欧的导通电阻的出色结合，同时栅极电荷最大值仅为40nC，这使其在高压开关应用中能同时实现低传导损耗和高频开关性能。
其14A的连续漏极电流能力和125W的功率耗散容量，配合-55°C至150°C的宽结温工作范围，确保了在工业级电源等严苛环境下的稳定运行与高可靠性。这些特性使其成为构建高效、紧凑型开关电源解决方案的关键元件。
- 制造商产品型号：STI15NM60ND
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 14A I2PAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：FDmesh II
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：14A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：299 毫欧 @ 7A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1250pF @ 50V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：125W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：I2PAK
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