STI16NM50N技术参数详情：
STI16NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用通孔I2PAK封装，核心额定参数为500V漏源电压（Vdss）与15A连续漏极电流（Id），为高压功率应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于通过优化的内部结构，在高压下实现了较低的导通电阻（典型260mΩ @ 10V）与栅极电荷（最大38nC @ 10V），这有效平衡了传导损耗与开关损耗，有助于提升电源系统的整体效率。同时，器件支持高达150°C的结温，并具备125W的功率耗散能力，确保了在 demanding 应用环境下的热可靠性与长期稳定性。
- 型号:STI16NM50N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:I2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 15A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 7.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1200 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAK
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
- 现在可以订购STI16NM50N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
