STI18N60M2技术参数详情：
STI18N60M2是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用I2PAK封装。其核心电气规格为600V漏源电压（Vdss）与9A连续漏极电流（Id），定位服务于中高压、中功率的开关应用需求。
该器件适用于要求高耐压和可靠性的功率转换场景。其封装形式提供了良好的功率处理能力和散热特性。需注意，此型号目前已处于停产状态，在新设计选型时应参考制造商的最新产品推荐列表。
- 型号:STI18N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:-
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK
- 系列:*
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:-
- 技术:-
- 漏源电压（Vdss）:-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:-
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 供应商器件封装:-
- 封装/外壳:-
- 现在可以订购STI18N60M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
