STW10N95K5

STW10N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-247封装，核心优势在于其950V的高漏源电压（V_DSS）额定值与低至800mΩ（最大值，@4A, 10V）的导通电阻（R_DS(on)）的出色结合，为高压应用提供了高可靠性与高效率。

在开关性能方面，其最大栅极电荷（Q_g）仅为22nC（@10V），有助于实现快速开关并降低驱动损耗。该器件在25°C壳温下可承受8A的连续漏极电流，最大功率耗散为130W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在 demanding 环境下的稳健运行。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和功率转换系统中追求高能效与高功率密度设计的优选功率开关解决方案。

• 型号:STW10N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 8A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:630 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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