STI19NM65N

STI19NM65N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用I2PAK封装，核心特性包括650V的漏源电压（V_DSS）和15.5A的连续漏极电流（I_D）能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的导通与开关性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为270mΩ，有助于最小化传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Q_g，最大55nC）优化了开关动态特性，有利于实现更高的工作频率和提升整体能效。这些参数使其成为工业电源、电机驱动等高效功率转换系统的理想选择。

• 制造商产品型号：STI19NM65N
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 650V 15.5A I2PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh II
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：650V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15.5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：270 毫欧 @ 7.75A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：55nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1900pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：150W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I2PAK
• 现在可以订购STI19NM65N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。