STF8NM60N

STF8NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）与7A的连续漏极电流（Id），为离线式电源应用提供了可靠的电压与电流承载能力。

其技术亮点在于通过第二代MDmesh技术实现了导通电阻与栅极电荷的良好平衡。在10V驱动下，其导通电阻表现优异，有助于降低传导损耗；同时，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）有效减少了开关损耗，提升了电源系统的整体效率与开关频率潜力。这些特性使其成为中功率开关电源、照明和工业控制等领域中追求效率与可靠性的优选功率开关器件。

• 型号:STF8NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:650 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:560 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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