STI24NM60N

STI24NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和17A的连续漏极电流（Id），提供了坚实的功率处理基础。

其技术亮点在于优异的动态性能平衡：在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至190毫欧，有效降低了导通损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为46nC，有利于实现快速开关并减少驱动损耗。这些特性使其在提升系统整体效率方面表现突出。器件采用I2PAK通孔封装，确保了良好的功率耗散能力（125W）和安装可靠性，适用于要求严苛的工业与电源环境。

• 型号:STI24NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 600V 17A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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