STI300N4F6技术参数详情：
STI300N4F6是ST意法半导体推出的一款采用I2PAK封装的高性能N沟道功率MOSFET。该器件基于先进的STripFET VI和DeepGATE技术，核心优势在于其极低的导通电阻与高电流处理能力的结合。
其关键参数包括40V的漏源电压（Vdss），在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）低至2.2毫欧（@80A），可支持高达160A（Tc）的连续漏极电流。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了高效的开关性能。这些特性使其成为高效率电源转换和电机驱动应用的理想解决方案。
- 型号:STI300N4F6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-262（I2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N CH 40V 160A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 毫欧 @ 80A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:240 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13800 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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