STI32N65M5

STI32N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用I2PAK通孔封装，隶属于高性能的MDmesh V产品系列。该器件核心优势在于其650V的漏源击穿电压（Vdss）与24A的连续漏极电流（Id）额定值，为高压大功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻（119mΩ @12A, 10V）与低栅极电荷（72nC @10V）的优化组合，这直接转化为更低的传导损耗和更快的开关速度，有助于提升电源系统的整体效率与功率密度。器件支持150°C的最高结温，功率耗散达150W，确保了在高温环境下的稳定性和可靠性，适用于工业电源、电机驱动等 demanding 应用场景。

• 型号:STI32N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:119 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3320 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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