STI42N65M5技术参数详情：
STI42N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）与33A（Tc）的连续漏极电流处理能力，为高压大功率应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于实现了低导通损耗与良好开关特性的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为79毫欧 @ 16.5A，有助于显著降低导通期间的功率损耗。同时，最大100nC的栅极电荷（Qg）有利于实现高效的开关操作，减少开关损耗。这些参数使其成为提升电源和电机驱动系统能效的关键元件。
- 型号:STI42N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:I2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:79 毫欧 @ 16.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4650 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAK
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
- 现在可以订购STI42N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
