STPSC12H065D技术参数详情：
STPSC12H065D是意法半导体基于碳化硅技术制造的一款12A、650V肖特基势垒二极管，采用TO-220AC封装。该器件的核心优势在于其碳化硅材料特性，提供了极低的反向恢复电荷和快速开关能力，能够显著降低高频开关应用中的开关损耗和电磁干扰。
其电气参数表现优异，在12A额定电流下正向压降仅为1.75V，同时在650V反向电压下漏电流极低。这些特性使其成为提升功率转换系统效率和功率密度的关键元件，尤其适用于服务器电源、太阳能逆变器及电动汽车充电等要求高效率和高可靠性的应用场景。
- 型号:STPSC12H065D
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220AC
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
- 电流 - 平均整流 (Io):12A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 12 A
- 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):-
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:120 A @ 650 V
- 不同Vr、F 时电容:600pF @ 0V，1MHz
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-2
- 供应商器件封装:TO-220AC
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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