STI6N90K5

STI6N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件设计用于高压、高开关频率应用，其核心优势在于900V的漏源击穿电压（Vdss）与低至1.1欧姆的导通电阻（Rds(on)）的良好结合，这有助于在开关电源等应用中显著降低导通损耗，提升整体能效。

该MOSFET在壳温25°C下可支持6A的连续漏极电流，最大功率耗散为110W，并采用坚固的I2PAK通孔封装以优化散热。其宽泛的栅极驱动电压范围（±30V）和高达150°C的工作结温，确保了在复杂工业环境下的驱动可靠性与运行稳定性，是一款面向高效功率转换设计的稳健选择。

• 型号:STI6N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 6A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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