STW13NK50Z技术参数详情：
STW13NK50Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3通孔封装。该器件核心优势在于其500V的高漏源电压（Vdss）与低至480毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色组合，能够在高压应用中有效降低传导损耗。
此外，其最大栅极电荷（Qg）仅为47nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗，提升系统整体效率。该器件在壳温条件下支持11A连续电流，功耗高达140W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于对可靠性和性能要求较高的功率转换领域。
- 制造商产品型号：STW13NK50Z
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：SuperMESH
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：500V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：480 毫欧 @ 6.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：47nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1600pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：140W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-247-3
- 现在可以订购STW13NK50Z，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
