STI76NF75技术参数详情：
STI76NF75是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心优势在于其75V的漏源电压（Vdss）和高达80A的连续漏极电流处理能力，能够胜任大功率应用场景。
其技术亮点在于极低的导通损耗，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为11毫欧 @ 40A。同时，160nC @ 10V的最大栅极电荷（Qg）有助于实现高效的开关性能，降低驱动损耗。这些参数共同确保了器件在高频开关电源、电机驱动等应用中，能够实现优异的能效转换与可靠的热管理。
- 型号:STI76NF75
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:I2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:75 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAK
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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