STP75N3LLH6

STP75N3LLH6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VI技术的DeepGATE产品系列。该器件设计用于30V电压环境，在壳温条件下可承载高达75A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，最大值仅为5.9毫欧（@10V， 37.5A），能显著降低导通损耗，提升系统效率。

器件具备优异的开关特性，其最大栅极电荷（Qg）低至23.8nC，有助于实现快速的开关速度并降低驱动损耗。标准TO-220通孔封装提供了良好的散热路径，支持最大60W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为低压、大电流开关及功率转换应用的理想选择。

• 型号:STP75N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 75A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.9 毫欧 @ 37.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2030 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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